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STM32H563IIK6,意法32位微控制器单片机优势供货

更新时间:2025-02-21 01:51:20 编号:121u1e1s8cc517
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  • ST意法单片机

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周玉军

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STM32H563IIK6,意法32位微控制器单片机优势供货

关键词
ST意法单片机
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STM32F103VBT6特性:
这些器件采用2.0至3.6 V电源供电。它们的工作温度范围为–40至+85°C和–40至+105°C扩展温度范围。一套全面的省电模式允许设计低功耗应用。
STM32F103xx中密度系列包括六种不同封装类型的器件:从36引脚到100引脚。根据所选的器件,包括不同的外设集,下面的描述概述了该系列中建议的所有外设。
这些特性使STM32F103xx中密度系列微控制器适合各种应用,如电机驱动、应用控制、医疗和手持设备、PC和游戏外设、GPS平台、工业应用、PLC、逆变器、打印机、扫描仪、报警系统、视频对讲机和HVACs。
ST意法MOSFET场效应管型号(部分):
STM32F072C8U7
STM32F072R8T6
STM32F071V8T6
STM32F091CBT7
STM32F078RBT6
STM32F091CCT7
STM32F072RBT7
STM32F091CCU6
STM32F098CCT6
STM32F091CCU7
STM32F091VCT7
STM32F042C6T7
STM32F071CBT7
STM32F078CBT6
STM32F072CBU7
ST/意法常用型号备有大量现货,公司承诺所售产品均为原装,以信用为基石,诚意合作。如需了解更多品牌,产品型号规格请咨询我们的销售人员。

LD3985M28R与低ESR电容兼容的低压降低噪声BiCMOS稳压器:
LD3985 在 2.5 V 至 6 V 输入电压范围内提供高达 150 mA 的电流。低压降、低静态电流和低噪声使其适用于低功耗应用和电池供电系统。稳压器接地电流仅在压差时略有增加,从而延长了电池寿命。电源抑制在低频时优于60 dB,在10 kHz时滚降。高电源抑制保持在电池供电电路常见的低输入电压电平。提供关断逻辑控制功能,这意味着当器件用作本地稳压器时,可以将电路板的一部分置于待机状态,从而降低总功耗。LD3985 设计用于低 ESR 陶瓷电容器。典型应用是移动电话和类似的电池供电无线系统。
ST意法单片机MUC型号(部分):
STM32F103VDH6
STM32F101ZET6
STM32F103ZFT6
STM32F103VFT7
STM32F107VBT6
STM32F105VCT7
STM32F101TBU6
STM32F103C8T7
STM32F103R8T7
STM32F105R8T7
STM32F101VBT6
STM32F103V8H6
STM32F103RBH7
STM32F103VBH6
STM32F103VBH7ST/意法常用型号备有大量现货,公司承诺所售产品均为原装,更多产品型号规格请咨询我们的销售人员。

主营产品:MCU单片、存储芯片、晶振、滤波双工器、传感器、射频IC、电源管理IC、音频功放、驱动芯片、接口IC、蓝牙芯片、监控芯片、WIFI芯片、网络通讯芯片、汽车芯片、定位芯片、耦合器。
STM32G473xB/xC/xE器件基于Arm® Cortex-M4® 32位RISC内核。它们的工作频率高达 170 MHz。
Cortex-M4内核具有单精度浮点单元(FPU),支持所有Arm单精度数据处理指令和所有数据类型。它还实现了一整套DSP(数字信号处理)指令和存储器保护单元(MPU),从而增强了应用的安全性。
这些器件嵌入了高速存储器(512 KB 闪存和 128 KB SRAM)、用于静态存储器的灵活外部存储器控制器 (FSMC)(适用于具有 100 引脚及更多引脚封装的设备)、四通道 SPI 闪存接口以及连接到两条 APB 总线、两条 AHB 总线和一个 32 位多 AHB 总线矩阵的各种增强型 I/O 和外设。
ST意法单片机MUC型号(部分):
STM32F103ZCT7
STM32F103VEH7
STM32F103ZEH7
STM32F101CBU6
STM32F101RBH6
STM32F103R8H6
STM32F101V8T6
STM32F103R8H7
STM32F103VBI6
STM32F100VDT6
STM32F100VET6
ST/意法常用型号备有大量现货,公司承诺所售产品均为原装,更多产品型号规格请咨询我们的销售人员。

FERD20M60
60 V、20 A 场效应整流二极管 (FERD)该单整流器基于专有技术,可实现V类中的佳效果F/我R给定硅表面的权衡。
该器件采用 TO-220AB 和 I²PAK 封装,旨在用于开关模式电源的整流和续流操作。
ST其他部分单片机MCU型号:
STM32G473RBT6
STM32F411VCT6
STM32F302VCT6
STM32G491KEU6
STM32L451RET6
STM32L452REI6
STM32L433VCI3
STM32G491CEU6
STM32F373VCH6
STM32G474RCT6
STM32G491REI6
STM32L462VEI6
STM32L452REI3
STM32G473CET6
STM32G474CEU6ST/意法常用型号备有大量现货,公司承诺所售产品均为原装,更多产品型号规格请咨询我们的销售人员。

RF2L16180CB4
180 W、28 V、1.3 至 1.6 GHz 射频功率 LDMOS 晶体管
功能
率和线性增益操作
集成静电保护
内部匹配,易于使用
针对多尔蒂应用进行了优化
较大的正负栅极-源极电压范围,可改善 C 类操作
符合欧洲指令 2002/95/EC
ST其他部分单片机型号:
STM32L476RET6
STM32L4P5CET6
STM32F412CGU6
STM32F303VET6
STM32L151QEH6
STM32F413CGU6
STM32L496RET6
STM32L486RGT6
STM32F446ZCJ6
STM32G474QET6
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SCTW35N65G2VAG
汽车级碳化硅功率MOSFET 650 V、45 A、55 mOhm(典型值,TJ = 25 C),采用HiP247封装
这款碳化硅功率MOSFET器件采用意法半导体创新的2德·一代碳化硅MOSFET技术。该器件具有极低的单位面积导通电阻和非常好的开关性能。开关损耗的变化几乎与结温无关。
ST意法其他部分MOSFET场效应管型号:
STM32L496QGI3
STM32F423ZHT6
STM32L496ZGT3
STM32L4R5QII6
STM32L4S5QII6
STM32L4R7VIT6
STM32F217IGH6
STM32L4S5ZIT6
STM32F746IGK6
STM32L4R9ZGJ6
STM32F746NGH6
STM32L4S9ZIJ6
STM32F777VIT6
STM32C011J6M6
STM32G030J6M6
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STD12N60DM2AG
汽车级N沟道600 V、0.370 Ohm典型值、10 A MDmesh DM2功率MOSFET,DPAK封装
STD12NF06LT4
N 沟道 60 V、典型值 70 mOh、12 A、条形场效应晶体管 II 功率 MOSFET,采用 DPAK 封装,该功率MOSFET系列采用意法半导体特的STripFET™工艺开发,该工艺设计用于小化输入电容和栅极电荷。这使得该器件适合用作电信和计算机应用以及具有低栅极电荷驱动要求的应用的隔离式DC-DC转换器的主开关。
ST意法其他部分单片机型号:
STM32L552CET6
STM32F303VCT7
STM32L562CEU6
STM32F411VEH6
STM32L452VET6
STM32L152RET6
STM32L552RET6
STM32L452RET3
STM32L562RET6
STM32G473RET6
STM32L475VET6
STM32G483RET6
STM32F302ZDT6
STM32G474CET3
STM32F732RET6
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STE40NC60
N沟道600V 0.098 Ohm 40A ISOTOP POWERMESH II MOSFET
The PowerMESH™二是代网格覆盖的演变™.引入的布局改进地改善了 Ron* 面积品质因数,同时使器件在速度、栅极电荷和性方面保持。
所有功能:
典型 RDS(打开)= 0.098 Ω
雪崩测试
的DV/dt能力
栅极电荷小化
新的高压基准
ST意法其他部分单片机型号:
STM32G484RET6
STM32L562VET6
STM32F446ZET7
STM32F303ZET7
STM32L476RGT3
STM32H733VGT6
STM32L486ZGT6
STM32F205ZET7
STM32L476VGT3
STM32L496AGI6
STM32F469VET6
STM32L476QGI3
STM32L4A6ZGT6
STM32L4R5QGI6
STM32F415ZGT6
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STFH10N60M2
N沟道600 V、0.55 Ohm典型值、7.5 A MDmesh M2功率MOSFET,TO-220FP宽沿面封装
STFU10N80K5
N沟道800 V、0.470 Ohm典型值、9 A MDmesh K5功率MOSFET,TO-220FP超窄引线封装
这些压 N 沟道功率 MOSFET 采用 MDmesh™ K5 技术设计,该技术基于创新的专有垂直结构。其结果是显著降低导通电阻和低栅极电荷,适用于需要功率密度和率的应用。
ST意法其他部分单片机型号:
STM32G051K6T6
STM32L031F6P7
STM32L031F4P3
STM32L011K4U6
STM32G031C6T6
STM32G031C8U6
STM32L041F6P7
STM32L011K4T6
STM32G031C8T6
STM32G051C8U6
STM32L021K4T6
STM32L010RBT6
STM32G051C8T6
STM32L041K6U6
STM32L031C6T6
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详细资料

主营行业:IC集成电路
公司主营:MCU与微处理器,存储芯片与驱动芯片,电源管理与音频功放,数据转换与无线芯片
主营地区:深圳
企业类型:有限责任公司(自然人独资)
注册资金:人民币1000000万
公司成立时间:2018-12-27
经营模式:生产+贸易型
最近年检时间:2018年
登记机关:南山局
经营范围:电子元器件、电子产品、数码产品、通讯产品的技术开发、技术服务与销售;投资兴办实业(具体项目另行申报);经营电子商务;商务信息咨询;互联网科技产品、计算机软硬件的研发与销售;国内贸易;经营进出口业务。(以上项目法律、行政法规、国务院决定禁止的项目除外,限制的项目须取得许可后方可经营)^
公司邮编:518000
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